Vishay IRF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 250V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 280mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 68nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- -20, +20V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 3.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IRF
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 14A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 250V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 280mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 3.1W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 10.67mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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