Vishay IRF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

250V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

280mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

68nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20, +20V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

14A