Vishay IGBT / 372 A Halbbrücke, 650 V 789 W, 7-Pin INT-A-pak Typ N-Kanal Panel

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

±20 V

Gehäusegröße

INT-A-PAK

Höhe

30mm

Kabelkanaltyp

Typ N

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

650V

Konfiguration

Halbbrücke

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.32V