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Vishay EF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 202 W, 5-Pin PowerPAK 8 x 8

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHH070N60EF-T1GE3

Produkt-Nr.: P-DRBXPT-DRTCF4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
71mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
75nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
30V
Gehäusegröße
PowerPAK 8 x 8
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
36A

Produktbeschreibung

Der Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.Technologie der 4. Generation der E-Serie Niedrige Leistungszahl Niedrige effektive Kapazität Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste Lawinenenergie (UIS)

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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