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Vishay Doppelt TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIA938DJT-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRBDXD-DRMVMS

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
21.5mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
3.5nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
12V
Gehäusegröße
SC-70
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
4.5A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SC-70
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 21.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 3.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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