Vishay Doppelt TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 21.5mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 3.5nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 12V
- Gehäusegröße
- SC-70
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 7.8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SC-70
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 21.5mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 3.5nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = No
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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