Zum Hauptinhalt springen

Vishay Doppelt TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70

Vishay Logo

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIA938DJT-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRBDXC-DRMVMR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
21.5mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
3.5nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
12V
Gehäusegröße
SC-70
Kabelkanaltyp
N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
4.5A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

MOSFET

Produktangebot

Bestes Angebot

0,14 €

0,17 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 Tag
Zustand: Neu
Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 3000Mengenintervall: 3000
Maximal 3000 verfügbar

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

Alle Angebote

Neu
ca. 1 Tag
12 Monate

0,14 €

0,17 € inkl. MwSt.*

Bestes Angebot
Maximal 3000 verfügbar
Neu
ca. 1 Tag
12 Monate

0,69 €

0,82 € inkl. MwSt.*

Maximal 5975 verfügbar

* zzgl. Versandkosten