Vishay Doppelt SI7956DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

Name: Vishay Doppelt SI7956DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI7956DP-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DRCKJ6-DRZ53K

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -50°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 150V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.1Ω
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 17nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: PowerPack
Kabelkanaltyp: N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 4.1A
Maximale Verlustleistung (Pd): 3.5W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SI7956DP

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = PowerPack
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.1Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 3.5W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 3000Mengenintervall: 3000

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