Vishay Doppelt SI7956DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-50°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.1Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PowerPack

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.1A