Semikron Danfoss IGBT-Modul / 113 A, 1.28 V SEMITRANS2

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Betriebstemperatur min.

-40°C

Breite

34mm

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

±20 V

Gehäusegröße

SEMITRANS2

Höhe

30mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

1.28V

Länge

94mm

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2.93V