Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin

Name: Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin
Brand: Nexperia

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PUMD18,115

Produkt-Nr.: P-DRKWC4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 50
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 7V
Gehäusegröße: SOT
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 50V
Kollektorstrom DC max. (Idc): 100mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft): 230MHz
Maximale Verlustleistung (Pd): 300mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Polarität des Transistors: NPN + PNP
Produkt Typ: Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
Transistor-Konfiguration: Doppelt

Produktbeschreibung

Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl der Komponenten reduzieren und den Stromkreisentwurf vereinfachen.Transistoren mit NPN/PNP-Widerstand, R1 = 4,7 kΩ, R2 = 10 kΩ, NPN/PNP-Doppelwiderstands-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.Ausgangsstrom: 105 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfachter StromkreisaufbauReduziert die Anzahl der Komponenten

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