Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 50
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 7V
- Gehäusegröße
- SOT
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 50V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 50V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 100mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 230MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Polarität des Transistors
- NPN + PNP
- Produkt Typ
- Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 50V
Gehäusegröße = SOT
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Doppelt
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 50V
Maximale Verlustleistung Pd = 300mW
Pinanzahl = 6°C
Höhe = 0.95mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059043497693
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