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Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PUMD18,115

Produkt-Nr.: P-DP6W8H

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
50
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
7V
Gehäusegröße
SOT
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
50V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
230MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
300mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Mit Widerstand ausgestatteter Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 50V
Gehäusegröße = SOT
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Doppelt
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 50V
Maximale Verlustleistung Pd = 300mW
Pinanzahl = 6°C
Höhe = 0.95mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043497693

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