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Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin

Marke: Nexperia

Hersteller Artikel-Nr.: PUMD24,115

Produkt-Nr.: P-DP6W73

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
80
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
10V
Gehäusegröße
SOT
Höhe
0.95mm
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
50V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
50V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
100mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
300mW

Produktbeschreibung

Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl Ihrer Komponenten reduzieren und den Stromkreisaufbau vereinfachen. Durch die Kombination von Transistoren mit den dazugehörigen Widerständen sind RETs hervorragende platzsparende und kostensparende Lösungen. Wir bieten ca. 400 Produkte an, damit Sie die Lösungen finden, die am besten für Ihre Anwendungen geeignet sind. In unserem Portfolio finden Sie einfache und duale RETs mit einer Vielzahl von Widerstandskombinationen. Darüber hinaus können Sie auch zwischen Baureihen mit SMD-Gehäusen und bedrahteten Gehäusen wählen.±10 % Widerstand-VerhältnistoleranzVerringert die Bestückungskosten.Integrierte VorwiderständeReduziert die Anzahl der KomponentenAusgangsstrombelastbarkeit von 100 mA, 500 mA und bis zu 800 mAVereinfacht den StromkreisaufbauTransistoren mit NPN/PNP-Widerstand R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm, Transistoren mit NPN/PNP-Widerstand (RET).Integrierte VorwiderständeVereinfacht den StromkreisaufbauReduziert die Anzahl der KomponentenVerringert die Bestückungskosten.AEC-Q101-qualifiziert

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059043684352

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