Nexperia Oberfläche Mit Widerstand ausgestatteter Transistor NPN + PNP 50 V / 100 mA, SOT 6-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

80

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

10V

Gehäusegröße

SOT

Höhe

0.95mm

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

50V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

50V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

100mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

300mW