Infineon Oberfläche NPN-HF-Bipolartransistor NPN 4 V / 50 mA, TSFP 4-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

110

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

1.2V

Gehäusegröße

TSFP

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

13V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

4V

Kollektorstrom DC max. (Idc)

50mA

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Übergangsfrequenz (Ft)

42GHz

Maximale Verlustleistung (Pd)

200mW