Infineon Oberfläche NPN-HF-Bipolartransistor NPN 4 V / 50 mA, TSFP 4-Pin

Name: Infineon Oberfläche NPN-HF-Bipolartransistor NPN 4 V / 50 mA, TSFP 4-Pin
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BFP640FH6327XTSA1

Produkt-Nr.: P-DRH3MX-DRR7B2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 110
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 1.2V
Gehäusegröße: TSFP
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 13V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 4V
Kollektorstrom DC max. (Idc): 50mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft): 42GHz
Maximale Verlustleistung (Pd): 200mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Polarität des Transistors: NPN
Produkt Typ: NPN-HF-Bipolartransistor
Transistor-Konfiguration: NPN

Produktbeschreibung

Die Infineon BFP-Serie ist ein bipolarer HF-Transistor auf Basis der Silizium-Germanium-Technologie. Seine Übergangsfrequenz von 42 GHz und seine hohen Linearitätseigenschaften bei niedrigen Strömen machen das Gerät für Energieeffizienz-Designs mit Frequenzen von bis zu 8 GHz geeignet. Es bleibt kostengünstig, ohne Kompromisse bei der Benutzerfreundlichkeit einzugehen.Bietet hervorragende Leistung für eine Vielzahl von drahtlosen Anwendungen Ideal für CDMA- und WLAN-Anwendungen Hohe maximale stabile Verstärkung Goldmetallisierung für besonders hohe Zuverlässigkeit

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Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 3000Mengenintervall: 3000

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