Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 80 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 80ns
- Anstiegszeit
- 100ns
- Ausgangsstrom
- 290mA
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 20V
- Minimale Versorgungsspannung
- 20V
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- IRS
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon IRS2109 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber mit einem abhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanal. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.Stromkreuzung-Verhütungslogik Angepasste Laufzeit für beide Kanäle High-Side-Ausgang in Phase mit IN-Eingang Logik und Stromversorgungsmasse +/–5 V Offset
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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