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Infineon MOSFET MOSFET 290 mA 8-Pin SOIC 20V 80 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRS2109STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFWL4-DRRP25

Technische Daten

Abfallzeit
80ns
Anstiegszeit
100ns
Ausgangsstrom
290mA
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
5mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
20V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon IRS2109 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber mit einem abhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanal. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist.Stromkreuzung-Verhütungslogik Angepasste Laufzeit für beide Kanäle High-Side-Ausgang in Phase mit IN-Eingang Logik und Stromversorgungsmasse +/–5 V Offset

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Gate-Treiber

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