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Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 3 A 16-Pin SOIC 200V 25 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IR2010STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFWK4-DRRPZ5

Technische Daten

Abfallzeit
25ns
Anstiegszeit
10ns
Ausgangsstrom
3A
Betriebstemperatur min.
-55°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
2.65mm
Länge
10.5mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Versorgungsspannung
200V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon IR2010 ist ein Hochleistungs-, Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigem, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenziertem Ausgangskanal. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,0-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Laufzeit wird angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V. Unterspannungsschutz für beide Kanäle Voll funktionsfähig bis 200 V

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Gate-Treiber

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