Infineon Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber MOSFET 3 A 16-Pin SOIC 200V 25 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 25ns
- Anstiegszeit
- 10ns
- Ausgangsstrom
- 3A
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 2.65mm
- Länge
- 10.5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 200V
- Minimale Versorgungsspannung
- 20V
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 16
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber
- Serie
- IR2010(S)PBF
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon IR2010 ist ein Hochleistungs-, Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigem, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenziertem Ausgangskanal. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,0-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Die Laufzeit wird angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V. Unterspannungsschutz für beide Kanäle Voll funktionsfähig bis 200 V
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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