Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225V 17 ns

Technische Daten

Abfallzeit

17ns

Anstiegszeit

25ns

Ausgangsstrom

2A

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

2.65mm

Länge

10.5mm

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Maximale Versorgungsspannung

1225V

Minimale Versorgungsspannung

20V