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Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225V 17 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IR2213STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFWLG-DRRP2H

Technische Daten

Abfallzeit
17ns
Anstiegszeit
25ns
Ausgangsstrom
2A
Betriebstemperatur min.
-55°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
2.65mm
Länge
10.5mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Versorgungsspannung
1225V
Minimale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon IR2213(S) ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen, bis hinunter auf 3,3-V-Logik.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll funktionsfähig bis +1200 V Tolerant gegenüber negativer Überspannung und unempfindlich gegenüber dV/dt Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 12 V bis 20 V.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Gate-Treiber

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