Infineon Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225V 17 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 17ns
- Anstiegszeit
- 25ns
- Ausgangsstrom
- 2A
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 2.65mm
- Länge
- 10.5mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 1225V
- Minimale Versorgungsspannung
- 20V
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 16
- Produkt Typ
- Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber
- Serie
- IR2213(S)PBF
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon IR2213(S) ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen, bis hinunter auf 3,3-V-Logik.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll funktionsfähig bis +1200 V Tolerant gegenüber negativer Überspannung und unempfindlich gegenüber dV/dt Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 12 V bis 20 V.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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