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Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 20V 30 ns

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IRS21864STRPBF

Produkt-Nr.: P-DRFCHB-DRY8DK

Technische Daten

Abfallzeit
30ns
Anstiegszeit
38ns
Anzahl der Treiber
1
Ausgangsstrom
4A
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.75mm
Länge
8.74mm
Maximale Betriebstemperatur
150°C
Maximale Versorgungsspannung
20V

Produktbeschreibung

Der Infineon 600 V Hoch- und Niederspannungsseiten-Treiber-IC mit typischer 4-A-Quelle und 4-A-Senkenströmen in 14-adristiger SOIC-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch erhältlich in 14-adrigen PDIP, 8-adrigen SOIC und 8-adrigen PDIP.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll betriebsfähig bis +600 V Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Unterspannungsschutz für beide Kanäle Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik Angepasste Laufzeit für beide Kanäle Logik und Stromversorgungsmasse +/–5 V Offset Geringere dI/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit Ausgangsquelle/Senkenstrombelastbarkeit 4 A/4 A.

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Artikeltyp
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