Infineon Gate-Treiber MOSFET 4 A 1 8-Pin SOIC 20V 30 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 30ns
- Anstiegszeit
- 38ns
- Anzahl der Treiber
- 1
- Ausgangsstrom
- 4A
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 8.74mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 20V
- Minimale Versorgungsspannung
- 10V
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Gate-Treiber
- Serie
- IRS
- Treiber-Typ
- MOSFET
Produktbeschreibung
Der Infineon 600 V Hoch- und Niederspannungsseiten-Treiber-IC mit typischer 4-A-Quelle und 4-A-Senkenströmen in 14-adristiger SOIC-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch erhältlich in 14-adrigen PDIP, 8-adrigen SOIC und 8-adrigen PDIP.Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb Voll betriebsfähig bis +600 V Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannung von 10 V bis 20 V Unterspannungsschutz für beide Kanäle Kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-Eingangslogik Angepasste Laufzeit für beide Kanäle Logik und Stromversorgungsmasse +/–5 V Offset Geringere dI/dt-Gate-Treiber für bessere Störfestigkeit Ausgangsquelle/Senkenstrombelastbarkeit 4 A/4 A.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber
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