Infineon Darlington-Transistor 1 60 V 500 mA NPN HFE:2000, SOT-23 3-Pin

Name: Infineon Darlington-Transistor 1 60 V 500 mA NPN HFE:2000, SOT-23 3-Pin
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BCV47

Produkt-Nr.: P-DRMDWX-DRVYJM

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Betriebstemperatur min.: -65°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 2000
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 10V
Gehäusegröße: SOT-23
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 80V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 60V
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): 60V
Maximale Verlustleistung (Pd): 360mW
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic): 500mA
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Polarität des Transistors: NPN
Produkt Typ: Darlington-Transistor

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 500mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 60V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 2000
Emitter-Basisspannung max. VEBO = 10V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 2.9mm
Kollektor-Sperrstrom max. = 0.0001mA
Automobilstandard = AEC-Q101