Infineon Darlington-Transistor 1 60 V 500 mA NPN HFE:2000, SOT-23 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

2000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

10V

Gehäusegröße

SOT-23

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

60V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

60V

Maximale Verlustleistung (Pd)

360mW