Infineon 5th Generation thinQ!TM Oberfläche Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200 V / 2 A, 2-Pin TO-252

Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Diodengeneration 5 1200 V, 2 A in einem DPAK Real2pin-Gehäuse stellt eine führende Technologie für SiC Schottky-Dioden dar. Die bereits mit G2 eingeführte Dünnwafer-Technologie wird jetzt mit einer neuen, zusammengeführten pn-Verbindung kombiniert, die die Diodenstoßstrom-Fähigkeiten verbessert. Das Ergebnis ist eine Serie von Produkten, die marktführende Effizienz und mehr Systemzuverlässigkeit zu einem attraktiven Kostenpunkt bieten.Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid Kein Rückgewinnungsstrom / Keine Vorwärtsrückgewinnung Temperaturunabhängiges Schaltverhalten Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur Enge Durchlassspannungsverteilung Exzellente Wärmeleistung Erweiterte Stoßstrombelastbarkeit Spezifizierte dv/dt-Robustheit Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform