Infineon 5th Generation thinQ!TM Oberfläche Diode SiC-Schottky Siliziumkarbid-Schottky-Diode, 1200 V / 2 A, 2-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Siliziumkarbid-Schottky-Diode
- Gehäusegröße
- TO-252
- Gleichrichter-Typ
- SiC-Schottky
- Höhe
- 10.4mm
- Länge
- 6.65mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 2.3V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom (If)
- 2A
- Montageart
- Oberfläche
- Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm)
- 37A
- Pinanzahl
- 2
- Produkt Typ
- Diode
- Serie
- 5th Generation thinQ!TM
- Spitzen-Sperrspannung periodisch (Vrrm)
- 1200V
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Diode
Gehäusegröße = TO-252
Maximaler Dauerdurchlassstrom If = 2A
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm = 1200V
Diodenkonfiguration = Siliziumkarbid-Schottky-Diode
Gleichrichter-Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Maximale Durchlassspannung Vf = 2.3V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.65mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
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