Infineon 5th Generation thinQ!TM 1200 V SiC Schottky Diode IDM05G120C5 Oberfläche Diode Schottky-Diode
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Diodenkonfiguration
- Siliziumkarbid-Schottky-Diode
- Gehäusegröße
- TO-252
- Gleichrichter-Typ
- Schottky-Diode
- Höhe
- 10.4mm
- Länge
- 6.65mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Durchlassspannung (Vf)
- 1.95V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom (If)
- 5A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- J-STD20 and JESD22
- Pinanzahl
- 2
- Produkt Typ
- Diode
- Serie
- 5th Generation thinQ!TM 1200 V SiC Schottky Diode IDM05G120C5
- Spitzen-Sperrspannung periodisch (Vrrm)
- 1200V
Produktbeschreibung
Die Infineon CoolSiC TM Schottky-Diodengeneration 5 1200 V, 5 A in einem DPAK Real2pin-Gehäuse stellt eine führende Technologie für SiC Schottky-Dioden dar. Die bereits mit G2 eingeführte Dünnwafer-Technologie wird jetzt mit einer neuen, zusammengeführten pn-Verbindung kombiniert, die die Diodenstoßstrom-Fähigkeiten verbessert. Das Ergebnis ist eine Serie von Produkten, die marktführende Effizienz und mehr Systemzuverlässigkeit zu einem attraktiven Kostenpunkt bieten.Klassenbeste Durchlassspannung (VF) Keine Rückgewinnungsladung Leichte positive Temperaturabhängigkeit von VF Erstklassige Stoßstrombelastbarkeit Exzellente Wärmeleistung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Schottky-Dioden und Gleichrichter
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