Infineon 5th Generation thinQ!TM 1200 V SiC Schottky Diode IDM05G120C5 Oberfläche Diode Schottky-Diode

Name: Infineon 5th Generation thinQ!TM 1200 V SiC Schottky Diode IDM05G120C5 Oberfläche Diode Schottky-Diode
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IDM05G120C5XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRFPMW-DRRTF6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Diodenkonfiguration: Siliziumkarbid-Schottky-Diode
Gehäusegröße: TO-252
Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode
Höhe: 10.4mm
Länge: 6.65mm
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Durchlassspannung (Vf): 1.95V
Maximaler Dauerdurchlassstrom (If): 5A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: J-STD20 and JESD22
Pinanzahl: 2
Produkt Typ: Diode
Serie: 5th Generation thinQ!TM 1200 V SiC Schottky Diode IDM05G120C5
Spitzen-Sperrspannung periodisch (Vrrm): 1200V

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Diode
Gehäusegröße = TO-252
Maximaler Dauerdurchlassstrom If = 5A
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm = 1200V
Diodenkonfiguration = Siliziumkarbid-Schottky-Diode
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Pinanzahl = 2
Maximale Durchlassspannung Vf = 1.95V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = J-STD20 and JESD22mm
Automobilstandard = Nein

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