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Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 11 A 50 W, 7-Pin TO-263

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Marke: Wolfspeed

Hersteller Artikel-Nr.: C3M0280090J

Produkt-Nr.: P-DRBDD8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
900V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
280mΩ
Durchlassspannung (Vf)
4.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
10nC
Gehäusegröße
TO-263
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
11A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsgerätetechnologie vor: Die branchenweit erste 900-V-MOSFET-Plattform. Die neue 900-V-Plattform wurde für Hochfrequenz-Leistungselektronikanwendungen wie Wechselrichter für erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und dreiphasige industrielle Netzteile optimiert und ermöglicht kleinere und effizientere Stromwandlungssysteme der nächsten Generation zu gleichen Kosten wie siliziumbasierte Lösungen.Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringen Kapazitäten Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein) Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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