Wolfspeed C3M Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 113.6 W, 7-Pin TO-263

Wolfspeed erweitert seine Führungsposition in der SiC-Technologie durch die Einführung Advanced SiC MOSFET-Technologie in neuer diskreter Verpackung mit niedriger Induktivität. Die neu eingeführten Gehäuse ermöglichen es Ingenieuren, die Hochfrequenzfähigkeit der neuesten planaren C3MTM-MOSFET-Chips voll zu nutzen. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten, dreistufigen Topologien zu einfacheren zweistufigen Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich sind. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit einer geringen Gate-Ladung und ist daher ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie AC/AC-Wandler und -Ladegeräte geeignet.Mindestens 1200 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle >7 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein) Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben