Winbond SLC-NAND W29N04GV Flash-Speicher 4 GB, 512M x 8 bit, Parallel, 25 μs, VFBGA, 63-Pin

Dichte: 4 Gbit (Einzelchip-Lösung) VCC: 2,7 V bis 3,6 V Busbreite: X8 Betriebstemperatur Industrie: –40 °C bis 85 °C Single-Level-Cell (SLC)-Technologie. Organisation Dichte: 4G-Bit/512M-Byte Seitengröße 2.112 Byte (2048 + 64 Byte) Blockgröße 64 Seiten (128K + 4K Byte) Höchste Leistung Leseleistung (max.) Zufälliges Lesen: 25 us Sequenzieller Lesezyklus: 25 ns Schreiblösch-Funktion Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.) Blocklöschzeit: 2 ms (typ.) Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1) 10 Jahre Datenspeicherung Befehlssatz Standard-NAND-Befehlssatz Zusätzliche Befehlsunterstützung Sequenzielles Cache-Lesen Zufälliges Lesen des Cache Cache-Programm Kopieren Sie zurück Zweiebenen-Betrieb Wenden Sie sich an Winbond für OTP-Funktion Wenden Sie sich an Winbond für Blockschlossfunktion Niedrigste Leistungsaufnahme Lesen: 25 mA (typ.) Programmieren/Löschen: 25 mA (typ.) CMOS-Standby: 10 μA (typ.) Platzsparende Verpackung 48-poliger Standard-TSOP1 63-Kugel-VFBGA4 GB SLC NAND-Flash-Speicher mit einheitlicher Seitengröße von 2 KB+64 B.Busbreite: X8 Zufälliges Lesen: 25us Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.) Blocklöschzeit: 2 ms (typ.) Unterstützt OTP-Speicherbereich