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WeEn Semiconductors Co., Ltd TRIAC 8 A TO-252 Oberfläche Gate Trigger 1.5 V 70 mA, 600 V 3-Pin

Marke: WeEn Semiconductors Co.,

Hersteller Artikel-Nr.: BT137S-600,118

Produkt-Nr.: P-DRJRDL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-40°C
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand (Irms)
8A
Gate-Trigger-Spannung max. (Vgt)
1.5V
Gate-Trigger-Strom max. (Igt)
70mA
Gehäusegröße
TO-252
Höhe
2.38mm
Konfiguration
Einfach
Länge
6.73mm
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximaler Haltestrom (Ih)
20mA

Produktbeschreibung

Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms = 8A
Montageart = Oberfläche
Gehäusegröße = TO-252
Gate-Trigger-Strom max. Igt = 70mA
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM = 600V
Spitzenstrom = 71A
Pinanzahl = 3
Konfiguration = EinfachV
Maximaler Haltestrom Ih = 20mA
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 125°C
Länge = 6.73mm
Spitzen Off-State Strom periodisch = 0.5mA

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
TRIAC Thyristortrioden
GTIN
5059045485018

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