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WeEn Semiconductors Co., Ltd TRIAC 4 A TO-252 Oberfläche Gate Trigger 1.5 V 70 mA, 600 V 3-Pin

Marke: WeEn Semiconductors Co.,

Hersteller Artikel-Nr.: BT136S-600,118

Produkt-Nr.: P-DRF3YB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-40°C
Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand (Irms)
4A
Gate-Trigger-Spannung max. (Vgt)
1.5V
Gate-Trigger-Strom max. (Igt)
70mA
Gehäusegröße
TO-252
Höhe
2.38mm
Konfiguration
Einfach
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximaler Haltestrom (Ih)
15mA
Montageart
Oberfläche

Produktbeschreibung

Durchschnittlicher Nennstrom im Ein-Zustand Irms = 4A
Montageart = Oberfläche
Gehäusegröße = TO-252
Gate-Trigger-Strom max. Igt = 70mA
Wiederkehrende Spitzensperrspannung VDRM = 600V
Spitzenstrom = 27A
Pinanzahl = 3
Gate-Trigger-Spannung max. Vgt = 1.5V
Maximaler Haltestrom Ih = 15mA
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 125°C
Höhe = 2.38mm
Spitzen Off-State Strom periodisch = 0.5mA

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
TRIAC Thyristortrioden

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