WeEn Semiconductors Co., Ltd BYV32EB-200 Oberfläche Diode Wechselnd Gemeinsame Kathode, 200 V / 20 A, 3-Pin TO-263

Name: WeEn Semiconductors Co., Ltd BYV32EB-200 Oberfläche Diode Wechselnd Gemeinsame Kathode, 200 V / 20 A, 3-Pin TO-263
Brand: WeEn Semiconductors Co.,

Marke: WeEn Semiconductors Co.,

Hersteller Artikel-Nr.: BYV32EB-200,118

Produkt-Nr.: P-DRHS65

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -40°C
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Gehäusegröße: TO-263
Gleichrichter-Typ: Wechselnd
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Durchlassspannung (Vf): 1.15V
Maximaler Dauerdurchlassstrom (If): 20A
Montageart: Oberfläche
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom (Ifsm): 137A
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: Diode
Serie: BYV32EB-200
Spitzen-Sperrspannung periodisch (Vrrm): 200V
Spitzensperrstrom (Ir): 30μA
Spitzensperrverzögerungszeit (trr): 25ns

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Diode
Gehäusegröße = TO-263
Maximaler Dauerdurchlassstrom If = 20A
Spitzen-Sperrspannung periodisch Vrrm = 200V
Diodenkonfiguration = Gemeinsame Kathode
Gleichrichter-Typ = Wechselnd
Pinanzahl = 3
Spitzensperrstrom Ir = 30μA
Spitzensperrverzögerungszeit trr = 25ns
Länge = 10.3mm
Automobilstandard = Nein

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