Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 20.5 A 5.6 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

-30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.01mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

58nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20.5A

Maximale Betriebstemperatur

175°C