Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V / 110 A 375 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0112Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

85nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110A

Länge

15.875mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C