Vishay TrenchFET Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 23.5 A 42 W, 8-Pin SO-8L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.134Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SO-8L

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

23.5A