Vishay TrenchFET Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 125 A 56.8 W, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.00351Ω
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 32nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 16V
- Gehäusegröße
- PowerPAIR 3 x 3FS
- Kabelkanaltyp
- Zweifach N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 125A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 56.8W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 12
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Zweifach N
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) = 125A
Drain-Source-Spannung (Vds) max. = 30V
Gehäusegröße = PowerPAIR 3 x 3FS
Serie = TrenchFET
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 12
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. = 0.00351Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Source-spannung max (Vgs) = 16V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 56.8W
Betriebstemperatur min. = -55°C
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs = 32nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C <br
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET