Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin TO-236

Name: Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin TO-236
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SQ2309ES-T1_GE3

Produkt-Nr.: P-DP53TX-DRSTWD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 0.335Ω
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 8.5nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: TO-236
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 1.7A
Maximale Verlustleistung (Pd): 2W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: TrenchFET Leistungs-MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = TrenchFET Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.7A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TO-236
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.335Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 1.12mm
Automobilstandard = AEC-Q101