Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 71.9 A 104 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

11.2mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

69.4nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

71.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

104W