Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 5.4 A 4.2 W, 6-Pin TSOP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

82.7mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12nC

Gehäusegröße

TSOP

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.4A

Maximale Betriebstemperatur

150°C