Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 136 W, 3-Pin TO-252

Name: Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 136 W, 3-Pin TO-252
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SQD50P06-15L_GE3

Produkt-Nr.: P-DP53TN-DRSTV4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 20mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.5V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 98nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 50A
Maximale Verlustleistung (Pd): 136W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 50A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 20mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 136W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 2.38mm
Automobilstandard = AEC-Q101