Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 183 W, 4-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

12.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-0.76V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

85nC

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

90A

Maximale Betriebstemperatur

175°C