Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.2 A 2.7 W, 8-Pin SO-8

Name: Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.2 A 2.7 W, 8-Pin SO-8
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI4447ADY-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP53TG-DRSTVW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 62mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 11.8nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20V
Gehäusegröße: SO-8
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7.2A
Maximale Verlustleistung (Pd): 2.7W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = SO-8
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 62mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.7W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.75mm
Automobilstandard = Nein