Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.7 W, 6-Pin TSOP
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 19.2mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- -1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 21nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20V
- Gehäusegröße
- TSOP
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.7W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- TrenchFET
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TSOP
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 19.2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 2.7W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.1mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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