Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1.14 W, 3-Pin SOT-23

Name: Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1.14 W, 3-Pin SOT-23
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SI2307CDS-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-DP8VTJ-DRW5LJ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 138mΩ
Durchlassspannung (Vf): -1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 4.1nC
Gehäusegröße: SOT-23
Kabelkanaltyp: Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 3.5A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.14W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: TrenchFET

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 138mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.14W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.12mm
Automobilstandard = Nein