Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 19.7 A 3.6 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

16.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

27nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

SO-8

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

19.7A